navbar.frm 20180310
ATTENTIE. . Groot onderhoud . . . Bijeenkomst op 19 april 2018 . . . Elke zondag 145.475 MHz . . 10:30 RTTY bulletin . . 11:00 uur Woerdense Ronde .
W

Powertransistor van galliumnitride

Samenvatting

Junxia Shi, onderzoeker van het laboratorium van professor Lestman Eastman van Cornell University heeft een zeer efficiƫnte vermogenstransistor ontwikkeld die is gebaseerd op galliumnitride in plaats van het gebruikelijke silicium.

Galliumnitride heeft unieke electrische eigenschappen en zou in de toekomst silicium kunnen vervangen voor power toepassingen.
De weerstand van de transoistor in geleidende toestand is 10 tot 20 maal lager dan bij de hedendaagse silicium power transistoren. De transitor heeft ook een 10 maal hogere doorslagspanning, daarmee is het een uitstekende kandidaat voor het schakelen van grote vermogens.
Patenten zijn aangevraagd.

(pa0phb)
2009/12/17

 Meer informatie